ONSEMI | HUASHU TECHNOLOGIES

Numéro de pièce fabricant	MFRS	Catalogue	PKG \| ÉPINGLE \| QTÉ	Description	INV	QTÉ
1N4148WT	ONSEMI	Circuit intégré	GAZON \| 523F \| 8000	Circuit intégré	8000	Maximale : 8000 Min : 1 Étape: 1
1SMA5934BT3G	ONSEMI	Circuit intégré	SMA \| 5000	Circuit intégré	5000	Maximale : 5000 Min : 1 Étape: 1
1SMA5942BT3G	ONSEMI	Circuit intégré	FAIRE \| 214AC \| 5000	Circuit intégré	5000	Maximale : 5000 Min : 1 Étape: 1
BAS20HT1G	ONSEMI	diode	GAZON \| 323 \| 3000	diode	3000	Maximale : 3000 Min : 1 Étape: 1
BAT54HT1G	ONSEMI	Circuit intégré	GAZON \| 323 \| 3000	Circuit intégré	3000	Maximale : 3000 Min : 1 Étape: 1
BAV70LT1G	ONSEMI	diode	SOT \| 23 \| 3000	diode	3000	Maximale : 3000 Min : 1 Étape: 1
BAW56LT1G	ONSEMI	diode	SOT \| 23 \| 3000	diode	3000	Maximale : 3000 Min : 1 Étape: 1
BC847BDW1T1G	ONSEMI	Circuit intégré	6 \| TSSOP \| 3000	Circuit intégré	3000	Maximale : 3000 Min : 1 Étape: 1
BCP53T1G	ONSEMI	Circuit intégré	SOT \| 223 \| 1000	Circuit intégré	1000	Maximale : 1000 Min : 1 Étape: 1
ES1J	ONSEMI	diode	SMA \| 7500	diode	7500	Maximale : 7500 Min : 1 Étape: 1
ES2D	ONSEMI	diode	PME \| 3000	diode	3000	Maximale : 3000 Min : 1 Étape: 1
FDV303N	ONSEMI	Tube à effet de champ	SOT \| 23(SOT \| 23 \| 3) \| 3000	Tube à effet de champ	3000	Maximale : 3000 Min : 1 Étape: 1
FOD817ASD	ONSEMI	Sortie phototransistor	CMS \| 4 \| 1000	Sortie phototransistor	1000	Maximale : 1000 Min : 1 Étape: 1
FOD8342TR2	ONSEMI	Circuit intégré	6 \| SOIC \| 1000	Circuit intégré	1000	Maximale : 1000 Min : 1 Étape: 1
FSA2567MPX	ONSEMI	Circuit intégré	16 \| WFQFN \| 3000	Circuit intégré	3000	Maximale : 3000 Min : 1 Étape: 1
LM2576D2TR4-5G	ONSEMI	Circuit intégré	D2PAK \| 5 \| 800	Circuit intégré	800	Maximale : 800 Min : 1 Étape: 1
LM2901DR2G	ONSEMI	Circuit intégré	14 \| SOIC \| 2500	Circuit intégré	2500	Maximale : 2500 Min : 1 Étape: 1
LM358DR2G	ONSEMI	Amplificateur économique	SOIC \| 8_150mil \| 2500	Amplificateur économique	2500	Maximale : 2500 Min : 1 Étape: 1
MAX809RTRG	ONSEMI	Circuit intégré	SOT23 \| 3 \| 3000	Circuit intégré	3000	Maximale : 3000 Min : 1 Étape: 1
MC14053BDR2G	ONSEMI	Circuit intégré	16 \| SOIC \| 2500	Circuit intégré	2500	Maximale : 2500 Min : 1 Étape: 1
MC33178DR2G	ONSEMI	Amplificateur opérationnel	SOIC \| 8_150mil \| 2500	Amplificateur opérationnel	2500	Maximale : 2500 Min : 1 Étape: 1
MC74HC165ADR2G	ONSEMI	Circuit intégré	16 \| SOIC \| 2500	Circuit intégré	2500	Maximale : 2500 Min : 1 Étape: 1
MC74HC595ADR2G	ONSEMI	Circuit intégré	16 \| SOIC \| 2500	Circuit intégré	2500	Maximale : 2500 Min : 1 Étape: 1
MJE182G	ONSEMI	triode	TO \| 225 \| 500	triode	500	Maximale : 500 Min : 1 Étape: 1
MOC3051M	ONSEMI	Sortie de signal SCR	DIP \| 6 \| 1000	Sortie de signal SCR	1000	Maximale : 1000 Min : 1 Étape: 1
MOC3063M	ONSEMI	Circuit intégré	6 \| TREMPAGE \| 50	Circuit intégré	50	Maximale : 50 Min : 1 Étape: 1
NTD2955T4G	ONSEMI	Circuit intégré	À \| 252 \| 3 \| 2500	Circuit intégré	2500	Maximale : 2500 Min : 1 Étape: 1
NVTFS5826NLWFTAG	ONSEMI	Circuit intégré	WDFN \| 8 \| 1500	Circuit intégré	1500	Maximale : 1500 Min : 1 Étape: 1
PZT2907AT1G	ONSEMI	Circuit intégré	SOT \| 223 \| 1000	Circuit intégré	1000	Maximale : 1000 Min : 1 Étape: 1
RB520S30T1G	ONSEMI	diode	GAZON \| 523 \| 3000	diode	3000	Maximale : 3000 Min : 1 Étape: 1
RB521S30T1G	ONSEMI	diode	GAZON \| 523 \| 3000	diode	3000	Maximale : 3000 Min : 1 Étape: 1
UC2842BD1R2G	ONSEMI	Circuit intégré	SOIC \| 8_150mil \| 2500	Circuit intégré	2500	Maximale : 2500 Min : 1 Étape: 1
UC2844BD1R2G	ONSEMI	Circuit intégré	8 \| SOIC \| 2500	Circuit intégré	2500	Maximale : 2500 Min : 1 Étape: 1

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