{"id":7982,"date":"2023-07-17T14:58:48","date_gmt":"2023-07-17T06:58:48","guid":{"rendered":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/?p=7982"},"modified":"2023-07-17T14:58:50","modified_gmt":"2023-07-17T06:58:50","slug":"new-physics-and-application-of-antiferromagnet-uncovered","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/es\/new-physics-and-application-of-antiferromagnet-uncovered\/","title":{"rendered":"Se descubre nueva f\u00edsica y aplicaci\u00f3n del antiferroim\u00e1n"},"content":{"rendered":"

El grupo de investigaci\u00f3n del profesor Hideo Ohno y el profesor asociado Shunsuke Fukami de la Universidad de Tohoku ha estudiado el control de la magnetizaci\u00f3n mediante una corriente aplicada a heteroestructuras que comprenden un antiferroim\u00e1n. Descubrieron que la corriente da lugar a un flujo de esp\u00edn electr\u00f3nico en el antiferroim\u00e1n, lo que induce una conmutaci\u00f3n de magnetizaci\u00f3n en un ferroim\u00e1n vecino.<\/p>\n

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Los resultados obtenidos arrojan luz sobre una nueva f\u00edsica del antiferromagn\u00e9tico y tambi\u00e9n abren varios caminos hacia circuitos integrados de potencia ultrabaja y otras aplicaciones novedosas como\u00a0computaci\u00f3n neurom\u00f3rfica<\/a>.<\/p>\n

Se espera que los dispositivos espintr\u00f3nicos que pueden almacenar informaci\u00f3n a trav\u00e9s de la direcci\u00f3n de magnetizaci\u00f3n sin suministro de energ\u00eda realicen circuitos integrados de potencia ultrabaja. Una cuesti\u00f3n clave para la aplicaci\u00f3n es c\u00f3mo lograr una conmutaci\u00f3n de magnetizaci\u00f3n r\u00e1pida y confiable con bajo consumo de energ\u00eda.<\/p>\n

Recientemente, un esquema de conmutaci\u00f3n que utiliza el flujo de\u00a0esp\u00edn del electr\u00f3n<\/a>, la llamada corriente de giro, que se origina en la\u00a0interacci\u00f3n \u00f3rbita-giro<\/a>, ha atra\u00eddo mucha atenci\u00f3n como un nuevo m\u00e9todo para lograr un control r\u00e1pido y confiable de la magnetizaci\u00f3n. Este esquema se ha observado en heteroestructuras que normalmente consisten en ferromagn\u00e9tico y una capa de metal pesado no magn\u00e9tico y se denomina conmutaci\u00f3n de magnetizaci\u00f3n inducida por par de \u00f3rbita de esp\u00edn.<\/p>\n

El grupo de investigaci\u00f3n investig\u00f3 la conmutaci\u00f3n inducida por el par de la \u00f3rbita de esp\u00edn en un sistema bicapa antiferromagn\u00e9tico-ferromagn\u00e9tico. Hasta ahora, el movimiento del esp\u00edn de los electrones en materiales antiferromagn\u00e9ticos no se ha estudiado bien. Fabricaron dispositivos de conmutaci\u00f3n a partir de una pila con un PtMn antiferromagn\u00e9tico y una multicapa ferromagn\u00e9tica de Co\/Ni, y evaluaron el\u00e9ctricamente las propiedades de conmutaci\u00f3n a temperatura ambiente. Descubrieron que la corriente que fluye en el antiferroim\u00e1n genera un par de \u00f3rbita de esp\u00edn lo suficientemente grande como para inducir el cambio de magnetizaci\u00f3n en el ferroim\u00e1n vecino.<\/p>\n

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higo. 2: La resistencia Hall versus la corriente aplicada medida con campos magn\u00e9ticos cero. La resistencia Hall representa la componente perpendicular de la magnetizaci\u00f3n. El componente inverso de la magnetizaci\u00f3n depende de la magnitud de la corriente aplicada.<\/figcaption><\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n

Es de destacar que, mientras que la conmutaci\u00f3n de par de \u00f3rbita de esp\u00edn en sistemas bicapa no magn\u00e9ticos-ferromagn\u00e9ticos estudiados previamente requiere un campo externo en el plano, el sistema actual permite la conmutaci\u00f3n sin campo debido a una propiedad \u00fanica que surge en la interfaz antiferromagn\u00e9tico-ferromagn\u00e9tico.<\/p>\n

Adem\u00e1s, descubrieron que en estructuras de apilamiento espec\u00edficas, la porci\u00f3n invertida de la magnetizaci\u00f3n se puede controlar de manera an\u00e1loga mediante la magnitud de la corriente aplicada, y esta caracter\u00edstica tambi\u00e9n se puede atribuir a la naturaleza del antiferroim\u00e1n.<\/p>\n

Este trabajo es significativo tanto desde el punto de vista de la f\u00edsica como de la aplicaci\u00f3n. En t\u00e9rminos de f\u00edsica, los resultados obtenidos permiten una comprensi\u00f3n m\u00e1s profunda de los fen\u00f3menos antiferromagn\u00e9ticos y de transporte de esp\u00edn, como el efecto Hall topol\u00f3gico. En t\u00e9rminos de aplicaci\u00f3n, la conmutaci\u00f3n sin campo externo lograda en este trabajo es prometedora para la implementaci\u00f3n de dispositivos de torsi\u00f3n de \u00f3rbita giratoria para futuros sistemas de potencia ultrabaja.\u00a0circuitos integrados<\/a>. Adem\u00e1s, dado que el comportamiento anal\u00f3gico observado aqu\u00ed se asemeja a la forma de funcionamiento de las sinapsis en el cerebro, el presente dispositivo antiferromagn\u00e9tico-ferromagn\u00e9tico podr\u00eda ser clave para realizar la computaci\u00f3n neurom\u00f3rfica, que se sabe que logra un procesamiento eficiente de la informaci\u00f3n.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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