{"id":7980,"date":"2023-07-17T15:01:47","date_gmt":"2023-07-17T07:01:47","guid":{"rendered":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/?p=7980"},"modified":"2023-07-17T15:01:47","modified_gmt":"2023-07-17T07:01:47","slug":"new-technology-reduces-30-percent-chip-area-of-stt-mram-while-increasing-memory-bit-yield-by-70-percent","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/new-technology-reduces-30-percent-chip-area-of-stt-mram-while-increasing-memory-bit-yield-by-70-percent\/","title":{"rendered":"Neue Technologie reduziert die Chipfl\u00e4che des STT-MRAM um 30 Prozent und erh\u00f6ht gleichzeitig die Speicherbitausbeute um 70 Prozent"},"content":{"rendered":"<p>Als Weltneuheit ist es Forschern der Universit\u00e4t Tohoku gelungen, eine Technologie zu entwickeln, mit der magnetische Tunnelkontakte (MTJ) direkt auf dem vertikalen Verbindungszugang (Via) gestapelt werden k\u00f6nnen, ohne dass es zu einer Verschlechterung der elektrischen\/magnetischen Eigenschaften kommt. Das Via in einem integrierten Schaltkreisdesign ist eine kleine \u00d6ffnung, die eine leitende Verbindung zwischen den verschiedenen Schichten eines Halbleiterbauelements erm\u00f6glicht.<\/p>\n<section class=\"article-banner first-banner ads-336x280\">\n<div id=\"div-gpt-ad-1449240174198-2\"><\/div>\n<\/section>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<p>Diese neue Entdeckung wird besonders wichtig f\u00fcr die Reduzierung der Chipfl\u00e4che des magnetischen Direktzugriffs mit Spin-Transfer-Drehmoment sein\u00a0<a class=\"textTag\" href=\"https:\/\/phys.org\/tags\/memory\/\" rel=\"tag\">Erinnerung<\/a>\u00a0(STT-MRAM), was seine Kommerzialisierung praktischer macht.<\/p>\n<p>Das Team unter der Leitung von Professor Tetsuo Endoh, Direktor des Center for Innovative Integrated Electronic Systems (CIES), konzentrierte sich auf die Reduzierung der Speicherzellenfl\u00e4che von STT-MRAMs, um die Herstellungskosten zu senken und sie mit herk\u00f6mmlichen Halbleiterspeichern wie Dynamic konkurrenzf\u00e4hig zu machen\u00a0<a class=\"textTag\" href=\"https:\/\/phys.org\/tags\/random+access+memory\/\" rel=\"tag\">Arbeitsspeicher<\/a>\u00a0(DRAM).<\/p>\n<p>Da MTJs magnetische Eigenschaften nutzen, ist die Qualit\u00e4t der Oberfl\u00e4che zwischen dem MTJ und seiner unteren Elektrode wichtig. Wenn die Oberfl\u00e4che nicht glatt ist, verschlechtern sich die elektrischen\/magnetischen Eigenschaften des MTJ. Aus diesem Grund wurde bisher vermieden, einen MTJ direkt auf den Via-L\u00f6chern in STT-MRAMs zu platzieren, obwohl dies die Gr\u00f6\u00dfe der Speicherzelle erh\u00f6ht.<\/p>\n<p>Endohs Gruppe hat das Problem angegangen, indem sie eine spezielle Polierprozesstechnologie entwickelt hat, um jegliche Beeintr\u00e4chtigung zwischen dem MTJ und seiner unteren Elektrode zu verhindern. Die Wirksamkeit der Technologie wurde durch ein Experiment mit Single-MTJ-Testchips erfolgreich nachgewiesen.<\/p>\n<p>Um den Erfolg dieser Entwicklung weiter zu testen, wurde ein 2-Mbit-STT-MRAM-Testchip entwickelt, der die neue Technologie integriert, um den Platzbedarf f\u00fcr die integrierten Schaltkreise zu \u00fcberpr\u00fcfen \u2013 dazu geh\u00f6ren mehr als 1 Million MTJs.<\/p>\n<p>\u201eDieser Testchip zeigt nicht nur eine Verbesserung der Speicherbitausbeute um 70% im Vergleich zum Standard-STT-MRAM, sondern auch die Speicherzellenfl\u00e4che ist um 30% reduziert\u201c, sagt Endoh. \u201eEs wird sehr effektiv sein, die Chipfl\u00e4che von MRAM zu reduzieren.\u201c<\/p>\n<p>CIES entwickelt Materialien, Prozesse, Schaltkreise und\u00a0<a class=\"textTag\" href=\"https:\/\/phys.org\/tags\/test\/\" rel=\"tag\">pr\u00fcfen<\/a>\u00a0Technologien in integrierten elektronischen Systemen. Der Schwerpunkt des Zentrums liegt auf der Entwicklung leistungsstarker Technologien mit geringem Stromverbrauch f\u00fcr eine energieeffizientere Gesellschaft.<\/p>\n<p>Die Ergebnisse dieser Forschung wurden am 16. Mai 2016 auf dem IEEE International Memory Workshop in Frankreich vorgestellt.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>In a world first, researchers from Tohoku University have successfully developed a technology to stack magnetic tunnel junctions (MTJ) directly on the vertical interconnect access (via) without causing deterioration to its electric\/magnetic characteristics. The via in an integrated circuit design is a small opening that allows a conductive connection between the different layers of a<\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":7987,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[1],"tags":[],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/7980"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=7980"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/7980\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":7988,"href":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/7980\/revisions\/7988"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/7987"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=7980"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=7980"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.huashu-tech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=7980"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}